渤海国上京龙泉府遗址宫城正门出土的石螭首吸引参观者拍照。 陈楚红 摄展览展出南越国宫署遗址出土的“掌要局”铭文白釉瓷碗。 陈楚红 摄展览展出南越国宫署遗址出土的“大有十五年壬寅岁建”铭文青釉陶排水管道残片。 陈楚红 摄“南北汇流——渤海国与南汉国文物展”吸引参观者。 陈楚红 摄渤海国上京龙泉府遗址出土的釉陶套兽吸引参观者拍照。 陈楚红 摄
1月4日,由南越王博物院、黑龙江省渤海上京遗址博物馆、广州市文物考古研究院联合主办的“南北汇流——渤海国与南汉国文物展”在广州南越王博物院王宫展区开展。本次展览为渤海国与南汉国遗址出土文物首次联袂展出,精选了178件出土文物,通过“泱泱华夏”“物阜民丰”“异域同川”“瀚海无疆”四个部分,展示渤海国与南汉国的政治、经济、文化、宗教、对外交流等风貌。本次展览是渤海上京龙泉府遗址出土文物首次来到广东地区展出。
多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础****** 科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉,该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作,基于光量子集成芯片,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。 量子干涉是众多量子应用的基础,特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年,并且在许多新兴量子技术中得到应用,直到2017年,人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程,但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性,一直未获得新进展。光量子集成芯片,以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台,也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。 任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上,研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程,其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化,这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。 这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程,为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作,并给出了高度评价:该芯片设计精良,包含多种集成光学元件,如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器;这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。 (文图:赵筱尘 巫邓炎) [责编:天天中] 阅读剩余全文() |